info@kosartech.com
مولف: علی کوثری مهر
طیف‌سنجی الکترون اوژه یک تکنیک تحلیلی جهت تعیین ترکیب عنصری و در بسیاری از موارد حالت شیمیایی اتم‌ها در سطح جامدات است. در طیف الکترون اوژه تعداد الکترون‌های آشکار شده بر حسب انرژی جنبشی رسم می‌شود. عناصر (به جز هیدروژن و هلیوم) از طریق انرژی پیک‌های اوژه شناسایی می‌گردند در حالیکه غلظت آنها در سطح وابسطه به شدت این پیک‌ها است. از طیف‌سنجی اوژه می‌توان برای نگاشت توزیع عناصر برروی سطح با وضوح بسیار بالا بهره برد. به کمک حکاکی کندوپاشی از طریق باریکه یونی می‌توان پروفایل عنصری در عمق مواد را نیز بدست آورد.
حساسیت به سطح (در حد چند لایه اتمی)، نرخ نسبتا بالای ایجاد الکترون‌های اوژه در عناصر سبک و وضوح بسیار بالا از مزایای این آنالیز بشمار می‌آیند. این در حالی است که وابستگی به خلا فوق بالا و وجود الودگی‌های سطحی محدودیت‌هایی را در استفاده از آن بوجود می‌آورند.
فرآیند اوژه
گسیل الکترون اوژه از طریق ایجاد یک یون با یک ظرفیت خالی در شل داخلی آغاز می‌گردد. یک الکترون از سطوح بالایی به جای خالی فروافت می‌کند و به طور همزمان یک الکترون اوژه گسیل می‌شود. این بازآرایی کولنی همزمان دوالکترونی باعث شکل گیری حالتی نهایی با دو ظرفیت خالی می‌شود. تابش الکترون اوژه یکی از دو مکانیزم فروافت محتمل در یک یون برانگیخته است. مکانیزم دیگر فلورسنس اشعه X است که در آن یک فوتون گسیل می‌شود. در شکل زیر برای مثال ظرفیت خالی اولیه در شل K اتفاق افتاده است.
تابش الکترون اوژه از طریق بمباران یک نمونه توسط الکترون، اشعه ایکس یا یون‌ها اتفاق می‌افتد؛ اگرچه در اکثر ادوات طیف‌سنجی اوژه از الکترون استفاده می‌شود زیرا باریکه الکترونی را می‌توان در ابعاد بسیار کوچک متمرکز کرد.
طرح شماتیک تابش الکترون اوژه (بالا) و فلورسنس اشعه ایکس (پایین). ذره برخوردی اولیه باعث بیرون رانی یک الکترون شل K می‌شود.
